Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6, 600 В, 19 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобный монтаж на печатную плату.

• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 19 А (постоянный), 95 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 210 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности: 99 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Мощность и токовые характеристики

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 19 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 95 А, что позволяет использовать его в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 210 Вт, что гарантирует стабильную работу при длительных нагрузках.

Эффективность и сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 99 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Заряд затвора составляет 44 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к управляющему сигналу.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220-3, который обеспечивает надежный отвод тепла и механическую устойчивость. Монтаж осуществляется выводным методом (THT), что упрощает процесс пайки и замены в готовых устройствах.