Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, 600В, 20А, TO220-3 (3 шт.)
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM037167
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, 600В, 20А, TO220-3 (3 шт.)В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N — это полупроводниковый прибор типа MDmesh™ II в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 одинаковых транзисторов.
- Тип: N-MOSFET, технология MDmesh™ II
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20 А
- Мощность рассеивания: 250 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 20 А. Мощность рассеивания составляет 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,105 Ом.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в стандартном корпусе TO220-3 с выводами для установки на печатную плату (THT).
Технология MDmesh™ II
Использование технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics определяет характеристики транзистора как униполярного N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 105 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ II |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴