Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP315N10F7, 100В, 120А, 5 шт.
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM078832
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP315N10F7, 100В, 120А, 5 шт.В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP315N10F7 — это полупроводниковый прибор с технологией STripFET™ F7, с параметрами тока до 120 А и напряжения 100 В. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа на плату (THT).
- Ток стока 120 А и импульсный ток 720 А
- Рассеиваемая мощность 315 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 2,7 мОм
- Технология STripFET™ F7
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 120 А и импульсный ток до 720 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 315 Вт. Напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В.
Низкое сопротивление и технология
Применение технологии STripFET™ F7 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 2,7 мОм. Общий заряд затвора составляет 180 нКл.
Монтаж и комплектация
Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с технологией монтажа THT (сквозной монтаж). В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 315 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ F7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴