Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP26NM60N, 600 В, 12,6 А, TO220-3 (5 шт.)
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM020922
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP26NM60N — это униполярный полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ II. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобство для массового монтажа и замены компонентов.
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 12,6 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 135 мОм
- Рассеиваемая мощность: 140 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ II
- Количество в комплекте: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 600 В и максимальный ток стока 12,6 А.
Технология MDmesh™ II
Использование технологии MDmesh™ II обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии, которое составляет 135 мОм. Это снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общую эффективность устройства.
Удобный монтаж THT
Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с типом монтажа THT (сквозной монтаж). Такое исполнение упрощает процесс пайки на печатные платы и обеспечивает надежный механический контакт, что важно для промышленного оборудования.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 140 Вт.
Комплектация
В упаковке поставки находится 5 транзисторов STP26NM60N.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 135 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ II |
- Цена: 2 610 ₴