Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5, 800В, 12.3А, TO220-3 (5 шт.)

2 380 ₴

  • В наличии
  • Код: TM078830
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5, 800В, 12.3А, TO220-3 (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5, 800В, 12.3А, TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5 — это униполярный полевой транзистор с технологией MDmesh™ K5, предназначенный для работы с напряжением до 800 В. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал с индуцируемой проводимостью
  • Напряжение сток-исток: 800 В
  • Ток стока: 12,3 А (постоянный), 78 А (импульсный)
  • Корпус: TO220-3, монтаж THT
  • Технология: MDmesh™ K5
  • Комплектация: 5 шт.

Напряжение и ток

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 12,3 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 78 А.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен по технологии MDmesh™ K5. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,26 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 40 нКл. Монтаж осуществляется методом THT (сквозь отверстия) в корпусе TO220-3. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт.

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания250 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток800 В
Максимально допустимый ток стока12.3 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)260 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте5 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологияMDmesh™ K5
Информация для заказа
  • Цена: 2 380 ₴