Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60, 600 В, 12,6 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60 — это полупроводниковый компонент для силовых электронных схем. Модель выполнена в корпусе TO220-3 с технологией MDmesh™ и предназначена для работы с напряжением до 600 В.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Постоянный ток стока 12,6 А
• Импульсный ток стока 80 А
• Рассеиваемая мощность 192 Вт
• Корпус TO220-3, монтаж THT
• Технология MDmesh™
• Сопротивление в состоянии проводности 0,29 Ом
• Комплект: 5 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 12,6 А. Эти характеристики делают компонент пригодным для применения в силовых электронных схемах.

Импульсная мощность

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 80 А и имеет рассеиваемую мощность 192 Вт. Такие характеристики обеспечивают стабильную работу в режимах кратковременных пиковых нагрузок, что типично для коммутационных схем.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Это упрощает пайку на печатные платы.

Технические особенности

Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а сопротивление в состоянии проводности равно 0,29 Ом. Заряд затвора составляет 54 нКл.

Транзистор STP20NM60 предназначен для применения в силовых устройствах. Комплект из 5 штук.