Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)

2 140 ₴

  • В наличии
  • Код: TM078827
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD — это униполярный прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии FDmesh™. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Напряжение сток-исток: 500 В
  • Ток стока: 14 А (постоянный), 80 А (импульсный)
  • Рассеиваемая мощность: 192 Вт
  • Корпус: TO220-3, монтаж THT
  • Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 14 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 192 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,25 Ом.

Технология FDmesh™

Производитель STMicroelectronics применяет технологию FDmesh™. Заряд затвора составляет 53 нКл. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Монтаж и корпус

Элементы выполнены в стандартном корпусе TO220-3, предназначенном для выводного монтажа (THT). Монтаж выполняется в отверстия печатной платы (THT).

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания192 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток500 В
Максимально допустимый ток стока14 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)250 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте5 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологияFDmesh™
Информация для заказа
  • Цена: 2 140 ₴