
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)
2 140 ₴
- В наличии
- Код: TM078827
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD — это униполярный прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии FDmesh™. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 14 А (постоянный), 80 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 192 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 14 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 192 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,25 Ом.
Технология FDmesh™
Производитель STMicroelectronics применяет технологию FDmesh™. Заряд затвора составляет 53 нКл. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Монтаж и корпус
Элементы выполнены в стандартном корпусе TO220-3, предназначенном для выводного монтажа (THT). Монтаж выполняется в отверстия печатной платы (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 192 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 14 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | FDmesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 140 ₴
