Транзистор STMicroelectronics STP20NM50, N-MOSFET, 550 В, 20 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STP20NM50 — это полевой N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение сток-исток 550 В и ток стока 20 А. Прибор изготовлен по технологии MDmesh™ в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 В
• Максимально допустимый ток стока: 20 А
• Максимальная мощность рассеивания: 192 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 250 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж в отверстия
• Технология: MDmesh™
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 550 В, а максимально допустимый ток стока — 20 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 250 мОм, что определяет потери мощности при прохождении тока. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 192 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3, что предусматривает выводной тип монтажа (THT). Производитель применяет технологию MDmesh™. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.

Комплектация и идентификация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Обозначение производителя — STP20NM50.