Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N, 500В, 10А, TO220-3 (5 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM078825
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N, 500В, 10А, TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N — это полупроводниковый прибор с каналом типа N и технологией MDmesh™ II. В комплекте поставляется 5 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 0,2 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ II
- Количество в комплекте: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 500 В и выдерживает ток стока 10 А.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт, что определяет тепловой режим работы. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,2 Ом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ II |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴