Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80, 800 В, 10,71 А, TO220-3 (3 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM078824
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80, 800 В, 10,71 А, TO220-3 (3 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 800 В. Комплект состоит из 3 элементов в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа в отверстия (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 10,71 А
- Рассеиваемая мощность: 190 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 3 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 800 В и максимальный ток стока 10,71 А. Напряжение на затворе может составлять ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,295 Ом. Рассеиваемая мощность составляет 190 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа в отверстия (THT). Применение технологии MDmesh™ влияет на характеристики прибора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10.71 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 295 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴