Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2, 650 В, 8 А, TO220-3 — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2 — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ II Plus. Модель обеспечивает рабочее напряжение 650 В и ток 8 А, что делает ее надежным решением для высоковольтных применений.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 8 А (постоянный), 52 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,28 Ом
• Рассеиваемая мощность: 110 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология: MDmesh™ II Plus, защита ESD

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В, что позволяет использовать его в сетевых устройствах. Максимальный постоянный ток стока составляет 8 А, а в импульсном режиме он может достигать 52 А. Это обеспечивает стабильную работу при резких нагрузках.

Сопротивление и мощность

Технология MDmesh™ II Plus снижает сопротивление в открытом состоянии до 0,28 Ом, что уменьшает потери энергии и нагрев. Рассеиваемая мощность составляет 110 Вт, что требует надлежащего охлаждения. Низкое сопротивление канала способствует повышению КПД устройства.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта. Корпус TO220-3 предназначен для навесного монтажа (THT), что упрощает пайку на печатные платы. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В.