Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP17N80K5, 800 В, 9 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP17N80K5 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 5 единиц.

• Напряжение сток-исток: 800 В
• Постоянный ток стока: 9 А
• Импульсный ток стока: 56 А
• Корпус TO220-3 для монтажа в отверстия (THT)
• Технология производства: MDmesh™ K5
• Комплектация: 5 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 9 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает 56 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 170 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,34 Ом.

Технология и управление

Компонент изготовлен по технологии MDmesh™ K5. Напряжение управления затвор-исток составляет ±30 В, а суммарный заряд затвора — 26 нКл. Эти характеристики определяют условия работы транзистора в ключевых режимах.