
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL, 30В, 112А, TO220-3 (20 шт.)
2 890 ₴
- В наличии
- Код: TM020916
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL — это универсальный силовой компонент серии STripFET™ H6. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество элементов для серийного производства или ремонта оборудования.
- Ток стока 112 А для мощных силовых применений
- Пиковый ток в импульсе до 480 А
- Сопротивление в состоянии проводимости всего 4,2 мОм
- Рассеиваемая мощность 136 Вт
- Корпус TO220-3 с выводным монтажом (THT)
- Комплект из 20 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 112 А, что позволяет использовать его в мощных силовых цепях. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 480 А.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 136 Вт. Корпус TO220-3 с монтажом THT (выводной) обеспечивает надежный контакт с платой и простоту пайки.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 4,2 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Это повышает общий КПД устройства, в котором применен транзистор.
Напряжение и заряд затвора
Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, что определяет рабочий класс компонента. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В, а полный заряд затвора равен 42 нКл. Эти параметры важны для правильного выбора драйвера затвора и расчета потерь на управление.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 136 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 112 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ H6 |
- Цена: 2 890 ₴
