Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, изготовленный по технологии SuperMESH5™. Предназначен для работы в схемах с напряжением до 800 В и током до 7,6 А, что делает его пригодным для применения в силовых электронных схемах. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Максимальный ток стока: 7,6 А
• Рассеиваемая мощность: 190 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология: SuperMESH5™
• Комплектация: набор из 10 штук

Высокое напряжение и мощность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В. Максимальный ток стока составляет 7,6 А, а рассеиваемая мощность — 190 Вт. Напряжение затвор-исток может достигать ±30 В.

Сопротивление в открытом состоянии

Компонент изготовлен по технологии SuperMESH5™. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,45 Ом. Этот параметр определяет нагрузку на транзистор при прохождении тока.

Монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для установки на плату (THT). Транзистор имеет версию ESD. Товар поставляется набором из 10 штук.