Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600В, 7А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — это силовой полупроводниковый прибор с технологией FDmesh™. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3, что удобно для прототипирования и серийного монтажа.

• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 7 А
• Мощность рассеивания: 160 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,45 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплект: 5 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 600 В и постоянный ток стока 7 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных цепях, где требуется надежная коммутация значительных нагрузок без перегрева.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная мощность рассеивания составляет 160 Вт. Такой показатель гарантирует стабильную работу устройства при длительных нагрузках, особенно при использовании радиаторов охлаждения в стандартном корпусе TO220-3.

Технология FDmesh™ и защита ESD

Использование технологии FDmesh™ обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (0,45 Ом), что снижает потери энергии. Компонент выпускается в версии ESD.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент предназначен для выводного монтажа (THT), что упрощает процесс пайки на печатных платах. В комплект входят 5 транзисторов, что является оптимальным набором для замены или начала небольшой серии изделий.