Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60, 600 В, 11 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа на печатную плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 11 А (импульсный до 44 А)
• Рассеиваемая мощность: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В. Номинальный ток стока равен 11 А, а импульсный ток может достигать 44 А. Рассеиваемая мощность — 160 Вт, что требует обеспечения надлежащего отвода тепла.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220-3. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы транзистора проходят сквозь отверстия в плате и припаиваются с противоположной стороны.

Управление и сопротивление

Напряжение на затворе относительно истока может изменяться в пределах ±30 В. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 0,45 Ом, что определяет потери мощности при открытом транзисторе. Общий заряд затвора — 30 нКл, что влияет на скорость переключения.