Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2, 650 В, 4,4 А, TO220-3, набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2 — это полупроводниковый прибор с каналом типа N и технологией MDmesh™ M2. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Технология: MDmesh™ M2
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 4,4 А (постоянный), 28 А (импульсный)
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 650 В. Постоянный ток стока составляет 4,4 А, а импульсный ток может достигать 28 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,68 Ом.

Конструктивные особенности

Прибор изготовлен по технологии MDmesh™ M2. Заряд затвора составляет 12,5 нКл. Максимальная рассеиваемая мощность — 85 Вт. Напряжение между затвором и истоком ограничено ±25 В.

Монтаж и комплектация

Корпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). В комплекте поставляется 10 транзисторов. Транзистор является униполярным.