Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, 100В, 76А, 150Вт (набор 10 шт.)
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM078810
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, 100В, 76А, 150Вт (набор 10 шт.)В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 — это униполярный прибор технологии STripFET™ F7 в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 10 единиц.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 76 А
- Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажа в отверстия (THT)
- Технология STripFET™ F7
- Комплект: 10 транзисторов
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 76 А. Максимальная мощность рассеивания — 150 Вт.
Корпус и монтаж
Корпус: TO220-3. Тип монтажа: THT (through-hole technology, монтаж в отверстия).
Технология
STripFET™ F7.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 76 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ F7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴