Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80Z, 800 В, 6 А, TO220-3, набор 5 шт.
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM037159
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80Z, 800 В, 6 А, TO220-3, набор 5 шт.В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 транзисторов N-MOSFET STP10NK80Z от STMicroelectronics в корпусе TO220-3. Компоненты предназначены для работы с напряжением до 800 В и током до 6 А, имеют защиту от электростатического разряда (ESD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 6 А
- Мощность рассеивания: 160 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Защита ESD и технология SuperMesh™
- Количество в наборе: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 800 В, а допустимый ток стока — 6 А. Мощность рассеивания составляет 160 Вт.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™, что влияет на его характеристики. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж) в корпусе TO220-3. Наличие версии ESD обеспечивает защиту от электростатического разряда во время эксплуатации.
Комплектация
В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴