Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N80K5, 800В, 6А, TO220-3 — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N80K5 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии MDmesh™ K5. Он предназначен для работы в электрических цепях с напряжением до 800 В и током до 6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Технология изготовления: MDmesh™ K5
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Постоянный ток стока: 6 А (импульсный до 36 А)
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт.

Технические характеристики

Прибор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком 800 В и постоянный ток стока 6 А. В импульсном режиме ток может достигать 36 А, а рассеиваемая мощность составляет 130 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,6 Ом.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3. Монтаж выполняется методом выводов в отверстия печатной платы (THT). Напряжение на затворе ограничено значением ±30 В, а заряд затвора составляет 22 нКл.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 транзисторов.