Транзистор STMicroelectronics STN3P6F6 P-MOSFET, SOT223, -60В, -2А (набор 20 шт.)

P-MOSFET транзистор STMicroelectronics STN3P6F6 в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до -2 А при напряжении -60 В.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -2 А
• Рассеиваемая мощность: 2,6 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,16 Ом
• Защита ESD и технология SuperMesh™
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -60 В и выдерживает ток стока -2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,16 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,6 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Технология и защита

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Версия ESD предусматривает встроенную защиту от электростатического разряда.

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 штук.