Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набор 30 шт.

2 130 ₴

  • В наличии
  • Код: TM078804
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набор 30 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набор 30 шт.В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 30 транзисторов N-MOSFET STN3NF06 от STMicroelectronics в корпусе SOT223. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 60 В и током до 4 А.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
  • Технология: STripFET™ II
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Максимальный ток стока: 4 А
  • Рассеиваемая мощность: 3,3 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0,1 Ом
  • Количество в наборе: 30 шт.

Технические характеристики

Транзистор является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом, изготовленным по технологии STripFET™ II. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 60 В, а максимальный ток стока — 4 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,1 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 3,3 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.

Комплектация

В упаковке содержится 30 одинаковых транзисторов STN3NF06.

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания3.3 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока4 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)100 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусSOT223
ТехнологияSTripFET™ II
Информация для заказа
  • Цена: 2 130 ₴