
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набор 30 шт.
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM078804
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 30 транзисторов N-MOSFET STN3NF06 от STMicroelectronics в корпусе SOT223. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 60 В и током до 4 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Технология: STripFET™ II
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 4 А
- Рассеиваемая мощность: 3,3 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,1 Ом
- Количество в наборе: 30 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом, изготовленным по технологии STripFET™ II. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 60 В, а максимальный ток стока — 4 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,1 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 3,3 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.
Комплектация
В упаковке содержится 30 одинаковых транзисторов STN3NF06.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | STripFET™ II |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴
