Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2, 650В, 12А, I2PAK — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 650 В. Комплект из 20 штук в корпусе I2PAK обеспечивает удобство для серийного монтажа и ремонта электронных устройств.

• Напряжение сток-исток 650 В
• Ток стока 12 А (импульсный 48 А)
• Рассеиваемая мощность 110 Вт
• Корпус I2PAK, монтаж THT
• Комплект из 20 транзисторов
• Сопротивление в состоянии проводимости 0,33 Ом

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 12 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими требованиями к изоляции и нагрузке. Импульсный ток может достигать 48 А, что важно для запуска мощных потребителей.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Такой показатель позволяет компоненту выдерживать значительные тепловые нагрузки без перегрева, особенно при использовании радиаторов. Сопротивление в состоянии проводимости 0,33 Ом способствует снижению потерь энергии.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе I2PAK с выводами для навесного монтажа (THT). Такое решение облегчает пайку и обеспечивает надежный контакт с печатной платой. В комплект входит 20 транзисторов, что выгодно для мастерских и производственных линий.

Управление и параметры затвора

Напряжение затвор-исток составляет ±25 В, что позволяет управлять транзистором в широком диапазоне напряжений. Заряд затвора 20 нКл обеспечивает быстрое переключение состояний. Это делает транзистор пригодным для импульсных источников питания и инверторов.## Тип транзистора и каналТранзистор является N-MOSFET с униполярной структурой и каналом обогащения. Такая конфигурация обеспечивает надежное открывание при подаче положительного напряжения на затвор. Это стандартное решение для многих схем управления мощностью.