Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, 650 В, 71 А, TO247-4 (3 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM078722
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, 650 В, 71 А, TO247-4 (3 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 в корпусе TO247-4. Комплект состоит из 3 единиц с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 71 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 71 А (225 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Заряд затвора: 207 нКл
- Комплект: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 71 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 225 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт.
Особенности конструкции
Корпус TO247-4 предназначен для монтажа в отверстия (THT). Интегрированная антипараллельная диодная структура и вывод Кельвина. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±30 В, а заряд затвора равен 207 нКл.
Комплектация
В упаковке поставляется 3 транзистора STGW75H65DFB2-4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 225 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴