Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 900 ₴
- В наличии
- Код: TM020827
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 единиц.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Постоянный ток коллектора: 30 А
- Импульсный ток: до 120 А
- Рассеиваемая мощность: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплект: 10 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и постоянным током коллектора 30 А.
Импульсная мощность
Прибор выдерживает импульсный ток коллектора до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 258 Вт.
Встроенный диод и монтаж
Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT в корпусе TO220AB.
Управление и заряд
Напряжение управления затвором составляет ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
Комплектация
В набор входит 10 транзисторов STGP30M65DF2.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 258 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 900 ₴