Интегральные микросхемы STMicroelectronics STGIPN3H60AT, IPM-модуль IGBT, 600 В, 3 А — набор 3 шт.

Интегральная микросхема STMicroelectronics STGIPN3H60AT — это интеллектуальный силовой модуль (IPM) на базе технологии SLLIMM nano. Устройство объединяет трехфазный мост IGBT и термистор NTC в корпусе NDIP-26L для монтажа на плату (THT).

• Трехфазный мост IGBT с термистором NTC
• Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
• Выходной ток 3 А
• Технология SLLIMM nano
• Комплект из 3 шт.
• Монтаж THT (корпус NDIP-26L)

Трехфазное управление мощностью

Микросхема выполняет функции драйвера и контроллера для трехфазных систем. Она реализует топологию трехфазного моста IGBT, что позволяет управлять мощностью в сложных электронных узлах.

Электрические параметры

Рабочее напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, а выходной ток — 3 А. Частота работы достигает 25 кГц, что обеспечивает эффективное переключение. Максимальная рассеиваемая мощность модуля — 8 Вт.

Технология и монтаж

Изделие изготовлено по технологии SLLIMM nano, которая характеризуется компактностью и интеграцией компонентов. Корпус NDIP-26L предназначен для выводного монтажа (THT), что упрощает установку на печатные платы.

Рабочий диапазон температур и напряжений

Микросхема работает в широком температурном диапазоне от -40 до 125 °C, что обеспечивает стабильность в сложных условиях. Рабочее напряжение питания составляет 12...17 В DC, а нагрузки — 0...500 В DC. Внимание: товар продается комплектом из 3 шт.