Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF20M65DF2, 650 В, 20 А, TO220FP (набор 10 шт.)
2 070 ₴
- В наличии
- Код: TM078712
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF20M65DF2, 650 В, 20 А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STGF20M65DF2 от STMicroelectronics в корпусе TO220FP. Транзистор с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и током коллектора 20 А. В комплекте поставляется 10 штук.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 20 А
- Корпус: TO220FP
- Рассеиваемая мощность: 32,6 Вт
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на рабочее напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 20 А. Импульсный ток коллектора может достигать 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32,6 Вт, а заряд затвора — 63 нКл.
Особенности конструкции
Устройство имеет встроенный антипараллельный диод. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж).
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов STGF20M65DF2.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 32.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴