Транзистор IGBT STMicroelectronics STGE200NB60S, 600 В, 150 А, корпус ISOTOP

IGBT-модуль STMicroelectronics STGE200NB60S — это полупроводниковый прибор в корпусе ISOTOP с номинальным током коллектора 150 А и максимальным напряжением 600 В.

• Максимальное напряжение 600 В
• Ток коллектора 150 А
• Импульсный ток 400 А
• Рассеиваемая мощность 600 Вт
• Корпус ISOTOP
• Тип модуля: IGBT

Электрические параметры

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 0,6 кВ (600 В) и постоянный ток коллектора 150 А. В импульсном режиме устройство выдерживает ток до 400 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.

Конструкция и монтаж

Устройство имеет структуру одиночного транзистора и рассеивает мощность до 600 Вт. Механическое и электрическое крепление выполняется с помощью винтов.