Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB19NC60HDT4, 600 В, 19 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM078707
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB19NC60HDT4, 600 В, 19 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGB19NC60HDT4 в корпусе D2PAK для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 19 А, что делает его пригодным для силовых электронных схем.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 19 А (импульсный до 60 А)
- Рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Наличие встроенного антипараллельного диода
- Набор: 10 шт.
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает импульсный ток коллектора до 60 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 130 Вт, а допустимое напряжение между затвором и эмиттером — ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Компонент имеет встроенный антипараллельный диод.
Заряд затвора и комплектация
Заряд затвора составляет 53 нКл. Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 60 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴