Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB10NC60HDT4, 600 В, 10 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM078706
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB10NC60HDT4, 600 В, 10 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 в корпусе D2PAK для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 10 А. В комплекте поставляется 10 единиц.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Постоянный ток коллектора: 10 А
- Импульсный ток коллектора: 20 А
- Рассеиваемая мощность: 65 Вт
- Корпус D2PAK для SMD-монтажа
- Встроенный антипараллельный диод
- Заряд затвора: 19,2 нКл
- Комплектация: 10 шт.
Мощность и ток
Компонент рассчитан на постоянный ток коллектора 10 А и импульсный ток до 20 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 65 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства.
Напряжение и управление
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 600 В. Напряжение затвор-эмиттер ограничено значением ±20 В, что определяет требования к схеме управления затвором.
Встроенный диод
В транзисторе встроен антипараллельный диод. Заряд затвора составляет 19,2 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 65 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴