Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP, 650 В, 18 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220FP, что обеспечивает удобный монтаж на печатную плату.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Постоянный ток стока: 18 А
• Импульсный ток стока: 72 А
• Рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Количество в комплекте: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 18 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных схемах, где требуется надежная изоляция и коммутация значительных нагрузок.

Импульсная мощность

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 72 А, что важно для пусковых токов в источниках питания. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 30 Вт.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с выводами для навесного монтажа (THT). Напряжение затвор-исток составляет ±25 В, а заряд затвора — 29 нКл. Сопротивление в открытом состоянии равно 188 мОм.