Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набор 10 шт.)

3 170 ₴

  • В наличии
  • Код: TM020808
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
3 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N — это униполярный прибор технологии MDmesh™ II, предназначенный для работы с напряжением до 600 В. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220FP, что обеспечивает удобный монтаж в электронных схемах.

  • Напряжение сток-исток 600 В
  • Ток стока 8,2 А
  • Рассеиваемая мощность 30 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии 0,285 Ом
  • Корпус TO220FP, монтаж THT
  • Технология MDmesh™ II
  • Набор из 10 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 8,2 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими требованиями к изоляции и нагрузке. Такая рассеиваемая мощность 30 Вт гарантирует стабильную работу при эксплуатации.

Технология MDmesh™ II

Использование технологии MDmesh™ II обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 0,285 Ом. Это снижает потери энергии и нагрев компонента при коммутации. Канал типа «wzbogacany» (обогащенный) гарантирует надежное открывание транзистора.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с типом монтажа THT (сквозной монтаж). Это упрощает процесс установки на печатные платы и обеспечивает механическую устойчивость. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±25 В, что соответствует стандартам управления MOSFET.

Тип канала и управление затвором (Gate-Source Voltage) Транзистор имеет канал типа «wzbogacany» (обогащенный), что гарантирует надежное открывание прибора. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±25 В, что соответствует стандартам управления MOSFET. Это обеспечивает стабильную работу схемы управления и защищает вход затвора от перенапряжения. ## Комплектность и применение Товар поставляется набором из 10 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования. Униполярная структура и технология MDmesh™ II делают компонент универсальным для различных электронных схем. Транзисторы STF18NM60N подходят для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные силовые ключи для промышленного или бытового оборудования.

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания30 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток25 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток600 В
Максимально допустимый ток стока8.2 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)285 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220FP
ТехнологияMDmesh™ II
Информация для заказа
  • Цена: 3 170 ₴