Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD95N4F3, 40В, 80А, DPAK — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD95N4F3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 80 А. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитана на напряжение сток-исток 40 В.

• Ток стока: 80 А (постоянный), 320 А (импульсный)
• Напряжение сток-исток: 40 В
• Рассеиваемая мощность: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 5,8 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Тип: N-MOSFET, канал обогащения

Мощность и токовые характеристики

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 80 А и импульсный ток до 320 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокими нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт, что обеспечивает стабильную работу при значительных тепловых нагрузках. Низкое сопротивление в открытом состоянии (5,8 мОм) минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Управление и напряжение

Максимальное напряжение сток-исток (VDS) равно 40 В, что определяет верхнюю границу рабочего напряжения в цепи. Напряжение затвор-исток (VGS) может достигать ±20 В, что обеспечивает надежное управление открыванием и закрыванием канала. Общий заряд затвора (Qg) составляет 40 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе DPAK, который является стандартом для силовых MOSFET-транзисторов средней мощности. Монтаж выполняется по технологии SMD (поверхностный монтаж), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Внимание: данный товар поставляется набором из 10 штук. Транзистор является униполярным, что означает наличие только одного типа носителей заряда в канале. Канал транзистора является обогащенным, поэтому для открывания требуется положительное напряжение на затворе относительно истока.