Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5NM60-1, 650В, 3,1А, IPAK — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5NM60-1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе IPAK для монтажа на плату (THT) и изготовлена по технологии MDmesh™.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 3,1 А (постоянный), 20 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 96 Вт
• Корпус: IPAK, монтаж THT
• Комплект: 20 шт.

Напряжение и ток

Прибор работает с напряжением сток-исток 650 В и постоянным током стока 3,1 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 20 А, а рассеиваемая мощность достигает 96 Вт. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе IPAK для монтажа через отверстия (THT). Производство осуществляется по технологии MDmesh™. Эти характеристики определяют физические размеры и способ крепления компонента на плате.

Электрические характеристики

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 1 Ом. Заряд затвора (Qg) равен 18 нКл. Эти параметры влияют на быстродействие и тепловые потери при переключении.