
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4, 800В, 1,89А, DPAK — набор 10 шт.
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM078683
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 1,89 А
- Мощность рассеивания: 80 Вт
- Корпус: DPAK для SMD монтажа
- Защита от ESD и технология SuperMesh™
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры и напряжение затвора
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 1,89 А. Мощность рассеивания составляет 80 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Корпус, монтаж и технология
Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор имеет версию ESD. Полярность транзистора — униполярная.
Комплектация и идентификация
Товар поставляется набором из 10 штук. Символ производителя: STD4NK80ZT4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.89 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴
