
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набор 20 шт.)
3 460 ₴
- В наличии
- Код: TM020801
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — это униполярный компонент с технологией STripFET™ F7.## Комплектация
- Ток стока 32 А (постоянный) и 180 А (импульсный)
- Напряжение сток-исток 100 В
- Сопротивление в открытом состоянии 18 мОм
- Рассеиваемая мощность 60 Вт
- Корпус DPAK для SMD-монтажа
- Технология STripFET™ F7
- Комплект: 20 шт.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии составляет 18 мОм. Этот параметр определяет потери энергии при прохождении тока через транзистор.
Ток и мощность
Постоянный ток стока составляет 32 А, а импульсный ток — 180 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 60 Вт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Канал типа «обогащенный» (enhancement mode) обеспечивает предсказуемое открывание транзистора при подаче управляющего сигнала.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 32 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | STripFET™ F7 |
Информация для заказа
- Цена: 3 460 ₴
