Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набор 20 шт.)

3 460 ₴

  • В наличии
  • Код: TM020801
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
3 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — это униполярный компонент с технологией STripFET™ F7.## Комплектация

  • Ток стока 32 А (постоянный) и 180 А (импульсный)
  • Напряжение сток-исток 100 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 18 мОм
  • Рассеиваемая мощность 60 Вт
  • Корпус DPAK для SMD-монтажа
  • Технология STripFET™ F7
  • Комплект: 20 шт.

Сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в открытом состоянии составляет 18 мОм. Этот параметр определяет потери энергии при прохождении тока через транзистор.

Ток и мощность

Постоянный ток стока составляет 32 А, а импульсный ток — 180 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 60 Вт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Канал типа «обогащенный» (enhancement mode) обеспечивает предсказуемое открывание транзистора при подаче управляющего сигнала.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж).

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания60 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока32 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)18 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологияSTripFET™ F7
Информация для заказа
  • Цена: 3 460 ₴