Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3, 600В, 1,26А, DPAK (набор 100 шт.)
1 980 ₴
- В наличии
- Код: TM078677
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3, 600В, 1,26А, DPAK (набор 100 шт.)В наличии
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Товар поставляется комплектом из 100 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 1,26 А
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4,5 Ом
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектация: 100 шт.
Напряжение и ток
Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 1,26 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 4,5 Ом, что определяет тепловые потери при коммутации. Максимальная рассеиваемая мощность равна 45 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Комплектация
Транзисторы поставляются набором из 100 штук. Модель STD2LN60K3 является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.26 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴