Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4, 60В, 8.5А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для использования в электронных устройствах. Модель выполнена в корпусе DPAK с технологией SuperMesh™, что обеспечивает эффективную работу при напряжении 60 В и токе 8.5 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 8.5 А
• Рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технология: SuperMesh™, версия ESD
• Набор: 20 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает с максимальным напряжением сток-исток 60 В и выдерживает ток стока 8.5 А. Рассеиваемая мощность составляет 30 Вт, что позволяет использовать компонент в соответствующих электрических схемах. Сопротивление в открытом состоянии равно 0.1 Ом, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе DPAK, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение обеспечивает компактность платы и удобство автоматизированного производства. Версия ESD обеспечивает защиту компонента от электростатических разрядов.

Комплектация

Товар поставляется как набор из 20 транзисторов. Это удобное решение для серийного производства или ремонта партий оборудования, где требуется несколько одинаковых компонентов.## Напряжение затвор-исток и сопротивление в открытом состоянии Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимый диапазон управляющих сигналов. Сопротивление в открытом состоянии равно 0.1 Ом, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.