Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, 600В, 4,9А, DPAK — набор 20 шт.
2 430 ₴
- В наличии
- Код: TM078670
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, 600В, 4,9А, DPAK — набор 20 шт.В наличии
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2 — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором. Устройство выполнено в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 4,9 А
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Защита ESD и технология SuperMesh™
- Набор: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 4,9 А. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±25 В. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,6 Ом.
Технология SuperMesh™
Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что означает отсутствие тока в закрытом состоянии при нулевом напряжении на затворе. Корпус DPAK и монтаж SMD.
Комплектация и монтаж
Товар поставляется набором из 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴