Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4, 800 В, 3,3 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM037099
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4, 800 В, 3,3 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 3,3 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 3,3 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, версия ESD
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 3,3 А. Рассеиваемая мощность составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,8 Ом, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.
Технология и корпус
Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™. Корпус D2PAK предназначен для SMD-монтажа. Транзистор имеет версию ESD.
Комплектация
В комплект входят 10 транзисторов STB7NK80ZT4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴