Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, 900 В, 5,8 А, D2PAK (10 шт.)
2 300 ₴
- В наличии
- Код: TM037097
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, 900 В, 5,8 А, D2PAK (10 шт.)В наличии
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 900 В. Пакет содержит 10 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 900 В
- Ток стока: 5,8 А
- Рассеиваемая мощность: 140 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на ток стока 5,8 А и напряжение сток-исток 900 В. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 2 Ом, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Корпус D2PAK обеспечивает поверхностный монтаж (SMD) печатных плат.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 900 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 300 ₴