Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5, 800 В, 4,5 А, D2PAK (10 шт.)
2 370 ₴
- В наличии
- Код: TM078668
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5, 800 В, 4,5 А, D2PAK (10 шт.)В наличии
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В. Комплект состоит из 10 штук в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 4,5 А
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Технология: MDmesh™
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 4,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, а заряд затвора — 7,5 нКл. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,6 Ом.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии MDmesh™. Корпус D2PAK (TO263) позволяет осуществлять монтаж на поверхность платы (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технология | MDmesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴