Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, 60 В, 42 А, D2PAK, 10 шт.
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM078667
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, 60 В, 42 А, D2PAK, 10 шт.В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4 — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 42 А. Пакет содержит 10 штук в корпусе D2PAK для монтажа SMD.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 42 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 16 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает ток стока 42 А. Рассеиваемая мощность составляет 110 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 16 мОм. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±15 В.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией SuperMesh™. Компонент имеет версию ESD. Монтаж выполняется методом SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 42 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴