Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4, 60 В, 35 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель отличается высокой токовой нагрузкой 35 А и рабочим напряжением 60 В, что делает её пригодной для силовых цепей. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK для удобного монтажа на печатных платах.

• Ток стока 35 А для мощных силовых цепей
• Напряжение сток-исток 60 В для надежной изоляции
• Мощность рассеивания 110 Вт в корпусе D2PAK
• Сопротивление в состоянии проводимости 18 мОм для минимизации потерь
• Защита ESD от электростатических разрядов
• Набор из 10 транзисторов для серийного монтажа

Высокая токовая нагрузка

Транзистор способен пропускать ток стока до 35 А, что позволяет использовать его в мощных силовых схемах. Такая характеристика позволяет применять компонент в схемах с высокой токовой нагрузкой.

Надежная изоляция и защита

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Встроенная защита ESD защищает чувствительный затвор от электростатических разрядов при монтаже и обслуживании.

Эффективное рассеивание тепла

Мощность рассеивания 110 Вт определяет тепловой режим работы компонента. Корпус D2PAK обеспечивает отвод тепла на печатную плату.

Удобный монтаж и технология

Компонент выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства. Использование технологии SuperMesh™ способствует оптимизации параметров проводимости. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 18 мОм снижает потери энергии.