Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4, 100В, 25А, D2PAK, SuperMesh™ — набор 10 шт.
2 880 ₴
- В наличии
- Код: TM020785
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель отличается технологией SuperMesh™ и версией ESD. Напряжение затвор-исток составляет ±15 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 36 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, защита ESD
- Комплектация: набор из 10 шт.
Рассеиваемая мощность
Транзистор имеет рассеиваемую мощность 150 Вт. Этот параметр определяет максимальную тепловую нагрузку компонента во время работы.
Электрические параметры
Максимальный ток стока составляет 25 А, а напряжение сток-исток — 100 В. Напряжение затвор-исток равно ±15 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с типом монтажа SMD. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 36 мОм.
Версия ESD
Транзистор выпускается в версии ESD. Эта характеристика указана в спецификации производителя.
Транзистор STB40NF10LT4 поставляется набором из 10 штук. Компонент имеет символ производителя STB40NF10LT4.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
- Цена: 2 880 ₴