Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2, 600В, 22А, D2PAK (5 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM078666
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2, 600В, 22А, D2PAK (5 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 22 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 88 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, защита ESD
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 22 А. Рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 88 мОм.
Технология и защита
Прибор изготовлен по технологии SuperMesh™. Присутствует защита от электростатического разряда (ESD). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 22 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 88 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴