Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB24N60DM2, 600V, 11A, D2PAK, ESD — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB24N60DM2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 11 А. Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией SuperMesh™ и защитой ESD, что обеспечивает стабильную работу в силовых цепях.

• Напряжение сток-исток 600 В для высоковольтных применений
• Ток стока 11 А и рассеиваемая мощность 150 Вт
• Технология SuperMesh™ и сопротивление в открытом состоянии 0,2 Ом
• Корпус D2PAK для поверхностного монтажа (SMD)
• Встроенная защита от электростатических разрядов (ESD)
• Набор из 10 транзисторов в комплекте

Высокое напряжение и ток

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 11 А, что позволяет использовать его в импульсных источниках питания и инверторах. Рассеиваемая мощность составляет 150 Вт, что гарантирует эффективный отвод тепла во время работы. Номинальное напряжение затвор-исток ±25 В определяет безопасные режимы управления.

Технология SuperMesh™ и защита ESD

Использование технологии SuperMesh™ снижает сопротивление в открытом состоянии до 0,2 Ом, уменьшая потери энергии и нагрев компонента. Встроенная защита ESD защищает чувствительные цепи управления от электростатических разрядов при монтаже и эксплуатации. Это повышает надежность устройства в условиях промышленного производства.

Удобный монтаж SMD

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK, что упрощает автоматизацию сборки плат. Такой формат корпуса обеспечивает компактное размещение и хороший теплоотвод через контактную площадку. Транзистор подходит для серийного производства электронных модулей.

Униполярная структура с каналом обогащения

Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для прототипирования или мелкосерийного производства. Количество в комплекте позволяет сразу обеспечить несколько узлов или иметь запас для ремонта.