Транзистор STMicroelectronics STB23NM50N, N-MOSFET, 500 В, 11 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB23NM50N — это полевой N-MOSFET в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 11 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 11 А
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (поверхностный монтаж)
• Сопротивление в открытом состоянии: 190 мОм
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимальный ток стока равен 11 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 190 мОм. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 125 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе D2PAK. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией.

Полярность и канал транзистора

Транзистор имеет униполярную поляризацию и канал типа «wzbogacany» (обогащенный). Это определяет его электрические характеристики и режим работы как полевого транзистора с индуцированным каналом.