Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB18NF25, 250В, 12А, D2PAK — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB18NF25 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией STripFET™ II, предназначенный для эффективной коммутации в электронных схемах. Модель в корпусе D2PAK обеспечивает рабочее напряжение 250 В и ток 12 А, что делает её пригодной для импульсных источников питания и двигателей.

• Технология STripFET™ II для низких потерь при коммутации
• Рабочее напряжение 250 В и ток 12 А
• Импульсный ток до 68 А для пиковых нагрузок
• Рассеиваемая мощность 110 Вт
• Корпус D2PAK для SMD монтажа
• Набор из 20 транзисторов

Высокая эффективность коммутации

Благодаря технологии STripFET™ II транзистор демонстрирует низкий заряд затвора 29,3 нКл, что упрощает управление и снижает потери при переключении. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,165 Ом, что минимизирует нагрев компонента во время работы. Это важно для устройств, где критичны энергоэффективность и стабильность параметров.

Мощность и надежность

Транзистор рассчитан на рассеивание мощности до 110 Вт, что позволяет использовать его в нагруженных силовых цепях. Максимальный импульсный ток достигает 68 А, обеспечивая запас прочности при кратковременных пиковых нагрузках. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что требует соблюдения стандартных уровней управляющих сигналов.

Высокая надежность и управление затвором (желательно)

Компонент выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Товар поставляется набором из 20 штук, что удобно для прототипирования или серийного производства небольших партий. Такая комплектация позволяет сразу иметь запас компонентов для ремонта или сборки устройств.