Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N, 550В, 12А, D2PAK — набор 10 шт.
2 670 ₴
- В наличии
- Код: TM020780
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N, 550В, 12А, D2PAK — набор 10 шт.В наличии
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для монтажа SMD. Характеризуется напряжением до 550 В и током до 12 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 550 В
- Ток стока: 12 А (постоянный), 48 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Сопротивление в состоянии проводимости: 0,28 Ом
- Заряд затвора: 27 нКл
- Набор: 10 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 550 В и постоянный ток стока 12 А. Импульсный ток может достигать 48 А.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 90 Вт. Заряд затвора равен 27 нКл.
Удобный монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с типом монтажа SMD. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 0,28 Ом.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 550 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 670 ₴